全球热点!三星瞄准3D NAND技术的Petabyte固态硬盘

来源:东方资讯


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三星已经讨论了其计划,即在未来的3DNAND技术的固态硬盘中提供高达PB的容量,尽管这些技术可能会在十年后推出。

在今年的中国闪存市场峰会(CFMS023)上,三星电子与美光、Kioxa、Arm、Solidigm、Phison等其他知名闪存公司一起出席了会议。三星电子与观众讨论了“闪存的再进化和迈向新时代”的话题。这次讨论突出了该公司的高水平存储容量能力,以及其3DNAND闪存在达到如此高容量方面的困难。

三星电子NAND产品规划组副总裁/总经理KyungryunKim解释说,三个级别的技术——物理扩展、逻辑扩展和封装技术——不仅在发展,而且理论上能够达到1PB或1024TB的容量。然而,按照目前的技术标准,该公司在未来十年内都无法实现这一目标。此外,该公司正寻求将四级单元技术用于更多的存储设备,并专注于使该技术更加熟练。

在讨论达到五级容量的进化途径时,该公司还展示了PM1743系列PCIe5.0固态硬盘(SSD)。新的PM1743系列比以前的型号能效高出40%,并已测试与英特尔和AMDPCIeGen5平台兼容。

三星一直在讨论其技术进步,尤其是3DNAND存储器时保持沉默。该公司正在继续寻找方法,以更广泛的采用率将四级单元3DNAND设备推向公众。三星认为,专注于更新的控制器技术将达到这些目标。目前,该公司对3DNAND设备进行物理扩展。然而,该公司需要研究逻辑扩展,以使存储器设备访问超过1000层。逻辑缩放将允许增加存储在每个单元内的信息比特数。

虽然该公司一直对其技术保持沉默,但竞争对手Kioxia对其发展更加透明。该公司于2019年推出了五级单元3DNAND存储器,每个单元最多可存储5位(5bpc)。两年后,Kioxia突破了5桶/日的技术,达到了6桶/日。该公司表示,他们也在研究是否可以提高到8bpc,创造一种八级单元3DNAND存储设备。目前,该公司尚未达到这样的长度。

对于许多3DNAND制造商来说,每个单元存储多个比特带来了许多挑战。识别能够存储各种电压状态的材料,同时能够区分它们以防止干扰,这是所有公司目前都在努力克服的障碍之一。此外,随着每个单元的比特数的增加,他们需要开发纠错技术来保持数据的完整性。

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