看热讯:襁褓中的第三代半导体

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文 | 巨潮WAVE,作者 | 荆玉

不知道你是否注意到,近两年安卓手机的充电速度越来越快了。

从“充电五分钟通话两小时”的65W快充发展到如今最快150W-200W,高达4000mAh的手机电池,8-10分钟就可以充满电量,可以说部分消费者使用手机的习惯已经随着快充技术的成熟彻底改变。

同样的升级也正在新能源车领域上演。近期小鹏汽车上线了S4超快充首桩,可以在小鹏G9车型上实现“充电5分钟续航200公里”的提升,还由此引发了“纯动、混动,谁是新能源车未来”的讨论。

这些变革背后,都离不开一条共同的新赛道——第三代半导体。

所谓第三代半导体,指的是以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料。与前两代半导体材料相比,其最大的优势是较宽的禁带宽度,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率的电子器件,因此在5G基站、新能源车、光伏、风电、高铁等领域有着很大应用潜力。

我国在第三代半导体领域与国际先进技术的差距较小,且新能源发展国际领先、有广泛的第三代半导体应用市场,因此这一赛道也被普遍认为是中国在半导体领域“换道超车”的重要机会,受到了政策的高度重视。国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要都明确指出“支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”。

政府的政策鼓励、广泛的下游应用市场和国产替代机遇,让第三代半导体概念在资本市场上颇受追捧。第三代半导体板块指数(885908)在去年和今年均经历过一次大的上涨周期,涨幅接近100%;国内碳化硅外延片生产商凤凰光学去年股价最高涨幅超过3倍。

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